Fairchild Semiconductor, standard: AEC-Q101 IGBT ISL9V3040S3ST Typ N-kanálový 21 A 430 V, TO-263, počet kolíků: 3

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

283,36 Kč

(bez DPH)

342,865 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 25 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
  • Plus 25 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
  • Plus 530 jednotka(y) budou odesílané od 26. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 556,672 Kč283,36 Kč
10 - 9548,512 Kč242,56 Kč
100 - 24537,63 Kč188,15 Kč
250 - 49536,27 Kč181,35 Kč
500 +34,238 Kč171,19 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
862-9353
Výrobní číslo:
ISL9V3040S3ST
Výrobce:
Fairchild Semiconductor
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Fairchild Semiconductor

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

21A

Maximální napětí kolektoru Vceo

430V

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Minimální provozní teplota

-40°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Maximální napětí brány VGEO

±10 V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

RoHS

Řada

EcoSPARK

Automobilový standard

AEC-Q101

Jmenovitá energie

300mJ

Diskrétní IGBT, Fairchild Semiconductor


IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy