STMicroelectronics, standard: AEC-Q101 IGBT Typ N-kanálový 25 A 450 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8.4 μs

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

33 944,00 Kč

(bez DPH)

41 072,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +33,944 Kč33 944,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
164-6956
Výrobní číslo:
STGB20N45LZAG
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

25A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

450V

Maximální ztrátový výkon Pd

150W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

8.4μs

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.55V

Maximální napětí brány VGEO

16 V

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

10.4mm

Řada

Automotive Grade

Normy/schválení

AEC-Q101

Výška

4.6mm

Automobilový standard

AEC-Q101

Jmenovitá energie

300mJ

Tyto IGBT pro konkrétní aplikace využívají pokročilou technologii PowerMESH™ optimalizovanou pro buzení cívky v náročném prostředí automobilových zapalovacích systémů. Tato zařízení nabízí možnost velmi malého napětí v zapnutém stavu a odolnost proti velmi vysoké energie SCIS v širokém rozsahu provozních teplot. Navíc vstup hradla logické úrovně s ESD ochranou a integrovaný rezistor hradla znamenají, že nejsou nutné žádné externí ochranné obvody

Energie SCIS 300 mJ při TJ = 25 °C

Díly jsou 100% testovány v podmínkách SCIS

Ochrana hradla-emitoru před ESD

Sevření hradla-kolektoru při vysokém napětí

Budič hradla logické úrovně

Velmi nízké saturační napětí

Vysoká odolnost proti pulznímu proudu

Rezistor hradla a hradla-emitoru

Související odkazy