IGBT STGB18N40LZT4 N-kanálový 30 A 420 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- Skladové číslo RS:
- 810-3485
- Výrobní číslo:
- STGB18N40LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
287,51 Kč
(bez DPH)
347,885 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 + | 57,502 Kč | 287,51 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 810-3485
- Výrobní číslo:
- STGB18N40LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 30 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 420 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | 16V | |
| Maximální ztrátový výkon | 150 W | |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Rychlost spínání | 1MHz | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Rozměry | 10.4 x 9.35 x 4.6mm | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 30 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 420 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor 16V | ||
Maximální ztrátový výkon 150 W | ||
Typ balení D2PAK (TO-263) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Rychlost spínání 1MHz | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Rozměry 10.4 x 9.35 x 4.6mm | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- IGBT STGB18N40LZT4 N-kanálový 30 A 420 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT IGB10N60TATMA1 N-kanálový 10 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT STGB10NC60HDT4 N-kanálový 10 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT STGB10NC60KDT4 N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT HGT1S10N120BNST N-kanálový 80 A 1200 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT IRGS15B60KPBF N-kanálový 31 A 600 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
- IGBT ISL9V5036S3ST N-kanálový 46 A 420 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- IGBT STGD18N40LZT4 N-kanálový 30 A 420 V počet kolíků: 3 1MHz Jednoduchý
