STMicroelectronics IGBT STGB10NB37LZT4 Typ N-kanálový 10 A 375 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8 μs

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

231,19 Kč

(bez DPH)

279,74 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 142 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8115,595 Kč231,19 Kč
10 - 18109,79 Kč219,58 Kč
20 - 4898,80 Kč197,60 Kč
50 - 9889,045 Kč178,09 Kč
100 +84,60 Kč169,20 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
686-8341
Výrobní číslo:
STGB10NB37LZT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

10A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

375V

Maximální ztrátový výkon Pd

125W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

8μs

Maximální napětí brány VGEO

12 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.8V

Minimální provozní teplota

-65°C

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

4.6mm

Šířka

10.4 mm

Délka

28.9mm

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy