STMicroelectronics IGBT STGB10NB37LZT4 Typ N-kanálový 10 A 375 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8 μs
- Skladové číslo RS:
- 686-8341
- Výrobní číslo:
- STGB10NB37LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
57,82 Kč
(bez DPH)
69,96 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Poslední zásoby RS
- Posledních 126 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 + | 28,91 Kč | 57,82 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 686-8341
- Výrobní číslo:
- STGB10NB37LZT4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 10A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 375V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 8μs | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 1.8V | |
| Minimální provozní teplota | -65°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 12 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 28.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 10A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 375V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 8μs | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 1.8V | ||
Minimální provozní teplota -65°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 12 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 28.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT Discretes, STMicroelectronics
IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics
Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 10 A 375 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8 μs
- STMicroelectronics TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 8.4 μs
- Littelfuse IGBT Typ N-kanálový 20 A 365 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 6 μs
- Littelfuse IGBT NGB8207ABNT4G Typ N-kanálový 20 A 365 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 6 μs
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 29 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs
- STMicroelectronics IGBT STGF10NB60SD Typ N-kanálový 29 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 3.8 μs
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz