STMicroelectronics IGBT N-kanálový 50 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1000 jednotky/-ek, v kotouči po 1000 ks)*

29 614,00 Kč

(bez DPH)

35 833,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 02. února 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
1000 +29,614 Kč29 614,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
204-9867
Výrobní číslo:
STGB30H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

50A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

167W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Šířka

9.35mm

Řada

Trench Gate Field Stop

Výška

4.6mm

Délka

10.4mm

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 30 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.