IGBT STGWA30IH65DF 60 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 4 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 956,59 Kč

(bez DPH)

3 577,47 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 450 jednotka(y) budou odesílané od 03. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 3098,553 Kč2 956,59 Kč
60 - 12095,992 Kč2 879,76 Kč
150 - 27093,522 Kč2 805,66 Kč
300 +91,159 Kč2 734,77 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-6065
Výrobní číslo:
STGWA30IH65DF
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

60 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

108 W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

TO-247

Počet kolíků

4

Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Určeno pouze pro jemné komutace
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 30 A
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Dioda s nízkým poklesem napětí při volnoběhu v balení
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy