STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 202-5518
- Výrobní číslo:
- STGWA40IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 209,41 Kč
(bez DPH)
2 673,39 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 15. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 73,647 Kč | 2 209,41 Kč |
| 120 - 240 | 71,144 Kč | 2 134,32 Kč |
| 270 - 480 | 69,226 Kč | 2 076,78 Kč |
| 510 - 990 | 67,464 Kč | 2 023,92 Kč |
| 1020 + | 65,76 Kč | 1 972,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5518
- Výrobní číslo:
- STGWA40IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 40A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 238W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 21.1 mm | |
| Délka | 15.9mm | |
| Řada | STG | |
| Výška | 5.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 40A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 238W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 21.1 mm | ||
Délka 15.9mm | ||
Řada STG | ||
Výška 5.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT řady STMicroelectronics s měkkým spínáním IH byl vyvinut pomocí vlastní struktury Trench branch Field-stop společnosti Advanced, jejíž výkon je optimalizován jak při ztrátách vedení, tak při spínacích ztrátách pro měkké komutace.
Dioda s nízkým napětím a volným odtokem v souběžném balení
Pozitivní teplotní koeficient VCE (SAT)
Související odkazy
- IGBT STGWA40IH65DF N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
- IGBT STGWA30HP65FB N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
- IGBT RGW80TS65CHRC11 N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
- IGBT RGW80TS65DHRC11 N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
- IGBT RGW80TS65EHRC11 N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
- IGBT RGW80TS65HRC11 N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
- IGBT RGSX5TS65EGC11 N-kanálový 75 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
- IGBT RGWX5TS65DHRC11 N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 1 Společný emitor
