STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 86 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 204-3943
- Výrobní číslo:
- STGWA50HP65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
1 316,01 Kč
(bez DPH)
1 592,37 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 540 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 270 | 43,867 Kč | 1 316,01 Kč |
| 300 - 720 | 42,771 Kč | 1 283,13 Kč |
| 750 + | 41,674 Kč | 1 250,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-3943
- Výrobní číslo:
- STGWA50HP65FB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 86A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 272W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | STG | |
| Délka | 15.9mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 86A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 272W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Šířka 21.1mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada STG | ||
Délka 15.9mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada STMicroelectronics HB2 650 v IGBT představuje vývoj struktury FIELD-stop hradla Trench společnosti Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu a také z hlediska snížené spínací energie. Dioda používaná pouze pro účely ochrany je v protiparalelním balení s IGBT. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou řadu rychlých aplikací.
Maximální propojovací teplota 175 °C.
Společně zabalená ochranná dioda
Minimální zbytkový proud
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGWA50HP65FB2 Typ N-kanálový 86 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 145 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz