STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 145 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 281,16 Kč

(bez DPH)

3 970,20 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 27. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 90109,372 Kč3 281,16 Kč
120 - 24097,013 Kč2 910,39 Kč
270 - 48094,494 Kč2 834,82 Kč
510 - 99092,09 Kč2 762,70 Kč
1020 +89,793 Kč2 693,79 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-7206
Výrobní číslo:
STGWA100H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

145A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

441W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Řada

STG

Normy/schválení

RoHS

Výška

5.1mm

Šířka

21.1 mm

Délka

15.9mm

Automobilový standard

Ne

STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 100 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 100 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy