IGBT STGWA75H65DFB2 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 1 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 623,89 Kč

(bez DPH)

3 174,90 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 01. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 9087,463 Kč2 623,89 Kč
120 - 24085,10 Kč2 553,00 Kč
270 - 48082,827 Kč2 484,81 Kč
510 - 99080,728 Kč2 421,84 Kč
1020 +78,719 Kč2 361,57 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-7211
Výrobní číslo:
STGWA75H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

115 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

357 W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

TO-247

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 75 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy