STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 206-7211
- Výrobní číslo:
- STGWA75H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
2 323,77 Kč
(bez DPH)
2 811,75 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 04. ledna 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 77,459 Kč | 2 323,77 Kč |
| 150 - 270 | 76,504 Kč | 2 295,12 Kč |
| 300 + | 75,574 Kč | 2 267,22 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 206-7211
- Výrobní číslo:
- STGWA75H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 115A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 357W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.9mm | |
| Řada | STG | |
| Výška | 5.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 115A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 357W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.9mm | ||
Řada STG | ||
Výška 5.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Šířka 21.1mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 75 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGWA75H65DFB2 Typ N-kanálový 115 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGW75H65DFB2-4 Typ N-kanálový 115 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 145 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 86 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz