STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 342,55 Kč

(bez DPH)

2 834,49 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 24. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 9078,085 Kč2 342,55 Kč
120 - 24077,113 Kč2 313,39 Kč
270 - 48076,175 Kč2 285,25 Kč
510 - 99075,253 Kč2 257,59 Kč
1020 +74,355 Kč2 230,65 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-7211
Výrobní číslo:
STGWA75H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

115A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

357W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Výška

5.1mm

Délka

15.9mm

Řada

STG

Normy/schválení

RoHS

Automobilový standard

Ne

STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 75 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy