STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

2 623,89 Kč

(bez DPH)

3 174,90 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • Odeslání od 27. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 9087,463 Kč2 623,89 Kč
120 - 24085,10 Kč2 553,00 Kč
270 - 48082,827 Kč2 484,81 Kč
510 - 99080,728 Kč2 421,84 Kč
1020 +78,719 Kč2 361,57 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-7211
Výrobní číslo:
STGWA75H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

115A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

357W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

21.1 mm

Výška

5.1mm

Normy/schválení

RoHS

Délka

15.9mm

Řada

STG

Automobilový standard

Ne

STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 75 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy