IGBT STGWA75H65DFB2 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 1 Jednoduchý

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 2 kusech)*

216,87 Kč

(bez DPH)

262,412 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 24 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
2 - 8108,435 Kč216,87 Kč
10 +92,625 Kč185,25 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
206-7212
Výrobní číslo:
STGWA75H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

115 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

357 W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

TO-247

Počet kolíků

3

Konfigurace tranzistoru

Jednoduchý

STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 75 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy