IGBT STGWA30H65DFB2 50 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

247,00 Kč

(bez DPH)

298,85 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Dočasně vyprodáno
  • 660 jednotka(y) budou odesílané od 11. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 549,40 Kč247,00 Kč
10 +42,088 Kč210,44 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
204-9878
Výrobní číslo:
STGWA30H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

50 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Počet tranzistorů

1

Maximální ztrátový výkon

167 W

Typ balení

TO-247

Počet kolíků

3

Země původu (Country of Origin):
CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 30 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Související odkazy