IGBT STGW75H65DFB2-4 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 4 1

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

4 191,84 Kč

(bez DPH)

5 072,13 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 60 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 30139,728 Kč4 191,84 Kč
60 +132,738 Kč3 982,14 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-6063
Výrobní číslo:
STGW75H65DFB2-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální stejnosměrný proud kolektoru

115 A

Maximální napětí emitoru/kolektoru

650 V

Maximální napětí řídicí elektroda/emitor

±20V

Maximální ztrátový výkon

357 W

Počet tranzistorů

1

Typ balení

TO-247

Počet kolíků

4

Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Vynikající spínací výkon díky extra jízdě kelvin pin

Související odkazy