STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

4 191,84 Kč

(bez DPH)

5 072,13 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 60 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 30139,728 Kč4 191,84 Kč
60 +132,738 Kč3 982,14 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-6063
Výrobní číslo:
STGW75H65DFB2-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

115A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

357W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

4

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

175°C

Šířka

21.1 mm

Normy/schválení

RoHS

Řada

STG

Délka

15.9mm

Výška

5.1mm

Automobilový standard

Ne

Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 75 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Vynikající spínací výkon díky extra jízdě kelvin pin

Související odkazy