IGBT STGWA30IH65DF 60 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 4 1
- Skladové číslo RS:
- 206-8630
- Výrobní číslo:
- STGWA30IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
494,99 Kč
(bez DPH)
598,94 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 02. července 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 20 | 98,998 Kč | 494,99 Kč |
| 25 - 45 | 96,28 Kč | 481,40 Kč |
| 50 - 120 | 93,762 Kč | 468,81 Kč |
| 125 - 245 | 91,39 Kč | 456,95 Kč |
| 250 + | 89,018 Kč | 445,09 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 206-8630
- Výrobní číslo:
- STGWA30IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální stejnosměrný proud kolektoru | 60 A | |
| Maximální napětí emitoru/kolektoru | 650 V | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/emitor | ±20V | |
| Maximální ztrátový výkon | 108 W | |
| Počet tranzistorů | 1 | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální stejnosměrný proud kolektoru 60 A | ||
Maximální napětí emitoru/kolektoru 650 V | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/emitor ±20V | ||
Maximální ztrátový výkon 108 W | ||
Počet tranzistorů 1 | ||
Typ balení TO-247 | ||
Počet kolíků 4 | ||
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Určeno pouze pro jemné komutace
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 30 A
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Dioda s nízkým poklesem napětí při volnoběhu v balení
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
VCE (SAT) = 1.55 v (typ.) PŘI IC = 30 A
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Dioda s nízkým poklesem napětí při volnoběhu v balení
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Související odkazy
- IGBT STGWA30IH65DF 60 A 650 V počet kolíků: 4 1
- IGBT RGTV60TS65DGC11 60 A 650 V počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
- IGBT STGW75H65DFB2-4 115 A 650 V počet kolíků: 4 1
- IGBT 60 A 650 V TO-247 3pinový 1 Jednoduchý
- IGBT FGH75T65SHDTL4 150 A 650 V počet kolíků: 4 1MHz 1 Jednoduchý
- IGBT FGHL40T65MQDT 60 A 650 V, TO-247-3L 30
- IGBT IKWH60N65WR6XKSA1 N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
- IGBT FGH60T65SQD-F155 P-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 3 1 Jednoduchý
