STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 145 A 650 V, TO-247-4, počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 212-2106
- Výrobní číslo:
- STGW100H65FB2-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*
3 337,47 Kč
(bez DPH)
4 038,33 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- 540 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 30 - 90 | 111,249 Kč | 3 337,47 Kč |
| 120 - 480 | 101,112 Kč | 3 033,36 Kč |
| 510 - 990 | 98,523 Kč | 2 955,69 Kč |
| 1020 + | 96,06 Kč | 2 881,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 212-2106
- Výrobní číslo:
- STGW100H65FB2-4
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 145A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 441W | |
| Typ balení | TO-247-4 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 15.9mm | |
| Výška | 5.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Řada | STG | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 145A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 441W | ||
Typ balení TO-247-4 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 4 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 15.9mm | ||
Výška 5.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Řada STG | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou škálu rychlých aplikací.
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGW100H65FB2-4 Typ N-kanálový 145 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 145 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWA100H65DFB2 Typ N-kanálový 145 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWA30IH65DF Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový
- STMicroelectronics IGBT STGWA80H65DFBAG 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový