STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 145 A 650 V, TO-247-4, počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

3 337,47 Kč

(bez DPH)

4 038,33 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 540 jednotka(y) budou odesílané od 30. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 90111,249 Kč3 337,47 Kč
120 - 480101,112 Kč3 033,36 Kč
510 - 99098,523 Kč2 955,69 Kč
1020 +96,06 Kč2 881,80 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
212-2106
Výrobní číslo:
STGW100H65FB2-4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

145A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

441W

Typ balení

TO-247-4

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

4

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Délka

15.9mm

Normy/schválení

RoHS

Řada

STG

Šířka

21.1 mm

Výška

5.1mm

Automobilový standard

Ne

IGBT


Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie. Výsledkem je produkt speciálně navržený tak, aby maximalizoval efektivitu pro širokou škálu rychlých aplikací.

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy