STMicroelectronics IGBT STGWA40IH65DF N-kanálový 40 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 202-5519
- Výrobní číslo:
- STGWA40IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
496,47 Kč
(bez DPH)
600,73 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 10 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 99,294 Kč | 496,47 Kč |
| 50 - 120 | 94,008 Kč | 470,04 Kč |
| 125 + | 89,168 Kč | 445,84 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 202-5519
- Výrobní číslo:
- STGWA40IH65DF
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 40A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 238W | |
| Typ balení | TO-247 | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 5.1mm | |
| Délka | 15.9mm | |
| Řada | STG | |
| Šířka | 21.1mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 40A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 238W | ||
Typ balení TO-247 | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 5.1mm | ||
Délka 15.9mm | ||
Řada STG | ||
Šířka 21.1mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
IGBT řady STMicroelectronics s měkkým spínáním IH byl vyvinut pomocí vlastní struktury Trench branch Field-stop společnosti Advanced, jejíž výkon je optimalizován jak při ztrátách vedení, tak při spínacích ztrátách pro měkké komutace.
Dioda s nízkým napětím a volným odtokem v souběžném balení
Pozitivní teplotní koeficient VCE (SAT)
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 115 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 30 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 86 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 60 A 650 V počet kolíků: 4 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 145 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz