STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

361,61 Kč

(bez DPH)

437,55 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 23. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 572,322 Kč361,61 Kč
10 +64,912 Kč324,56 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-7210
Výrobní číslo:
STGWA20H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Typ produktu

IGBT

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

147W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Řada

Trench Gate Field Stop

Automobilový standard

Ne

STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 20 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 20 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy