STMicroelectronics IGBT STGWA20H65DFB2 Typ N-kanálový 40 A 650 V, TO-247, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 30 kusech)*

1 333,80 Kč

(bez DPH)

1 614,00 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 30 jednotka(y) budou odesílané od 23. března 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
30 - 9044,46 Kč1 333,80 Kč
120 - 24041,488 Kč1 244,64 Kč
270 - 48040,417 Kč1 212,51 Kč
510 - 99039,355 Kč1 180,65 Kč
1020 +38,376 Kč1 151,28 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
206-7209
Výrobní číslo:
STGWA20H65DFB2
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

40A

Maximální napětí kolektoru Vceo

650V

Maximální ztrátový výkon Pd

147W

Typ balení

TO-247

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.1V

Maximální provozní teplota

175°C

Normy/schválení

No

Řada

Trench Gate Field Stop

Automobilový standard

Ne

STMicroelectronics příkop brány pole-stop, 650 v, 20 A, vysokorychlostní HB2 série IGBT v TO-247 dlouhé vedení balíčku.

Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.

Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 20 A

Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda

Minimalizovaný proud v koncích

Velmi přesné rozložení parametrů

Nízký tepelný odpor

Kladný teplotní koeficient VCE (SAT)

Související odkazy