STMicroelectronics IGBT STGB10NC60HDT4 Typ N-kanálový 20 A 600 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

257,87 Kč

(bez DPH)

312,025 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • Plus 120 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
  • Plus 410 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za balení*
5 - 2051,574 Kč257,87 Kč
25 - 4549,004 Kč245,02 Kč
50 - 12044,164 Kč220,82 Kč
125 - 24539,618 Kč198,09 Kč
250 +37,692 Kč188,46 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
795-7041
Výrobní číslo:
STGB10NC60HDT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

20A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

65W

Typ balení

TO-263

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2.5V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

10.4mm

Šířka

9.35 mm

Výška

4.6mm

Automobilový standard

Ne

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy