STMicroelectronics IGBT STGB30H65DFB2 Typ N-kanálový 50 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 204-9868
- Výrobní číslo:
- STGB30H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
300,85 Kč
(bez DPH)
364,05 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 31. srpna 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 60,17 Kč | 300,85 Kč |
| 50 - 95 | 56,414 Kč | 282,07 Kč |
| 100 - 245 | 45,152 Kč | 225,76 Kč |
| 250 - 495 | 37,642 Kč | 188,21 Kč |
| 500 + | 33,148 Kč | 165,74 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-9868
- Výrobní číslo:
- STGB30H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 50A | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.1V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Řada | Trench Gate Field Stop | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 50A | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.1V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Řada Trench Gate Field Stop | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 30 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB10NC60HDT4 Typ N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB10NC60KDT4 Typ N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz