STMicroelectronics IGBT STGB30H65DFB2 N-kanálový 50 A 650 V, TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 204-9868
- Výrobní číslo:
- STGB30H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Získejte množstevní slevu na nákup
Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 10%
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
331,97 Kč
(bez DPH)
401,69 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 19. března 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* | Úspora |
|---|---|---|---|
| 5 - 45 | 66,394 Kč | 331,97 Kč | - |
| 50 - 120 | 59,676 Kč | 298,38 Kč | 10% |
| 125 + | 48,906 Kč | 244,53 Kč | 26% |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-9868
- Výrobní číslo:
- STGB30H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 50A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 167W | |
| Typ balení | TO-263 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Typ kanálu | N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.1V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Výška | 4.6mm | |
| Délka | 10.4mm | |
| Šířka | 9.35mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Řada | Trench Gate Field Stop | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 50A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 167W | ||
Typ balení TO-263 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Typ kanálu N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.1V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Výška 4.6mm | ||
Délka 10.4mm | ||
Šířka 9.35mm | ||
Normy/schválení No | ||
Řada Trench Gate Field Stop | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 30 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB10NC60HDT4 N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB10NC60KDT4 N-kanálový 20 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB50H65FB2 86 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový 1
- STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT N-kanálový 80 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz