STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 40 A 650 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- Skladové číslo RS:
- 204-9871
- Výrobní číslo:
- STGF20H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Využijte množstevní slevu
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 467,45 Kč
(bez DPH)
1 775,60 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 28. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 29,349 Kč | 1 467,45 Kč |
| 100 - 200 | 28,988 Kč | 1 449,40 Kč |
| 250 - 450 | 28,632 Kč | 1 431,60 Kč |
| 500 - 950 | 28,286 Kč | 1 414,30 Kč |
| 1000 + | 27,951 Kč | 1 397,55 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 204-9871
- Výrobní číslo:
- STGF20H65DFB2
- Výrobce:
- STMicroelectronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | STMicroelectronics | |
| Typ produktu | IGBT | |
| Maximální trvalý kolektorový proud Ic | 40A | |
| Maximální napětí kolektoru Vceo | 650V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 45W | |
| Typ balení | TO-220FP | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Spínací napětí | 1MHz | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT | 2.1V | |
| Maximální napětí brány VGEO | 20 V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Řada | STG | |
| Délka | 10.4mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Výška | 4.6mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka STMicroelectronics | ||
Typ produktu IGBT | ||
Maximální trvalý kolektorový proud Ic 40A | ||
Maximální napětí kolektoru Vceo 650V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 45W | ||
Typ balení TO-220FP | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Počet kolíků 3 | ||
Spínací napětí 1MHz | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT 2.1V | ||
Maximální napětí brány VGEO 20 V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Řada STG | ||
Délka 10.4mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Výška 4.6mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Řada STMicroelectronics IGBT 650 v HB2 představuje evoluci patentované konstrukce brázdy příkopů Advanced. Výkon řady HB2 je optimalizován z hlediska vedení, díky lepšímu chování VCE (SAT) při nízkých hodnotách proudu, stejně jako z hlediska snížené spínací energie.
Maximální teplota spoje: TJ = 175 °C.
Nízká VCE (SAT) = 1.65 v (typ.) PŘI IC = 20 A
Velmi rychlá a měkká obnova, co-balená dioda
Minimalizovaný proud v koncích
Velmi přesné rozložení parametrů
Nízký tepelný odpor
Související odkazy
- STMicroelectronics IGBT STGF20H65DFB2 Typ N-kanálový 40 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 7 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGF7NB60SL Typ N-kanálový 7 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGF6NC60HD Typ N-kanálový 7 A 600 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGB30H65DFB2 Typ N-kanálový 50 A 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 1 MHz
- STMicroelectronics IGBT STGWT80H65DFB Typ N-kanálový 650 V počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz