STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 5 A 1200 V, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Povrch 690 ns

Zobrazit vše v kategorii IGBT

Mezisoučet (1 naviják po 2500 kusech)*

57 737,50 Kč

(bez DPH)

69 862,50 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 5 000 jednotka(y) budou odesílané od 23. února 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za cívku*
2500 +23,095 Kč57 737,50 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
165-5304
Výrobní číslo:
STGD5NB120SZT4
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

5A

Maximální napětí kolektoru Vceo

1200V

Maximální ztrátový výkon Pd

75W

Typ balení

TO-252

Typ montáže

Povrch

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

690ns

Maximální napětí brány VGEO

±20 V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

2V

Maximální provozní teplota

150°C

Řada

H

Šířka

6.4 mm

Normy/schválení

JEDEC JESD97, ECOPACK

Délka

6.2mm

Výška

2.2mm

Jmenovitá energie

12.68mJ

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
CN

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy