STMicroelectronics IGBT Typ N-kanálový 7 A 600 V, TO-220FP, počet kolíků: 3 kolíkový Průchozí otvor 1 MHz

Zobrazit vše v kategorii IGBT
Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*

1 547,20 Kč

(bez DPH)

1 872,10 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Na objednávky v hodnotě nižší než 1 500,00 Kč (bez DPH) se vztahuje poplatek ve výši 180,00 Kč.
Skladem
  • 250 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks
za jednotku
za tubu*
50 - 5030,944 Kč1 547,20 Kč
100 - 20029,892 Kč1 494,60 Kč
250 - 45029,151 Kč1 457,55 Kč
500 +28,405 Kč1 420,25 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:
168-6466
Výrobní číslo:
STGF7NB60SL
Výrobce:
STMicroelectronics
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

STMicroelectronics

Typ produktu

IGBT

Maximální trvalý kolektorový proud Ic

7A

Maximální napětí kolektoru Vceo

600V

Maximální ztrátový výkon Pd

25W

Typ balení

TO-220FP

Typ montáže

Průchozí otvor

Typ kanálu

Typ N

Počet kolíků

3

Spínací napětí

1MHz

Maximální saturační napětí kolektoru VceSAT

1.6V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální napětí brány VGEO

20 V

Maximální provozní teplota

150°C

Normy/schválení

RoHS

Délka

10.4mm

Výška

16.4mm

Šířka

4.6 mm

Řada

Powermesh

Automobilový standard

Ne

Země původu (Country of Origin):
MY

IGBT Discretes, STMicroelectronics


IGBT Discretes & Modules, STMicroelectronics


Izolační bipolární tranzistor hradla Terminal nebo IGBT je třívodičový polovodičový prvek, který je určen pro vysokou účinnost a rychlé přepínání. IGBT kombinuje vlastnosti jednoduchého řízení tranzistorů MOSFET s možností vysokého proudu a nízké sytosti bipolárního tranzistoru kombinací samostatného hradla FET pro řídicí vstup a bipolárního výkonového tranzistoru jako spínače v jednom zařízení.

Související odkazy

Recently viewed