MPN

řada: SIPMOS®MOSFET SPP15P10PHXKSA1 P-kanálový 15 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	15 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Series	SIPMOS®
	Typ balení	TO-220
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	240 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2.1V
	Maximální ztrátový výkon	128 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Počet prvků na čip	1
	Délka	10.36mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	37 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	4.57mm
	Propustné napětí diody	1.35V
	Výška	15.95mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 15 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Series SIPMOS®
	Typ balení TO-220
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 240 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.1V
	Maximální ztrátový výkon 128 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Počet prvků na čip 1
	Délka 10.36mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 37 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 4.57mm
	Propustné napětí diody 1.35V
	Výška 15.95mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.