AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET SPP15P10PLHXKSA1 Typ P-kanálový 11.3 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 165-6694
- Výrobní číslo:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 tuba po 50 kusech)*
1 410,85 Kč
(bez DPH)
1 707,15 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 350 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za tubu* |
|---|---|---|
| 50 + | 28,217 Kč | 1 410,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 165-6694
- Výrobní číslo:
- SPP15P10PLHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 11.3A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Řada | SIPMOS | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 270mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Přímé napětí Vf | -0.96V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 47nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 128W | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Délka | 10.36mm | |
| Výška | 15.95mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.3A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Řada SIPMOS | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 270mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Přímé napětí Vf -0.96V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 47nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 128W | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Délka 10.36mm | ||
Výška 15.95mm | ||
Normy/schválení No | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 80 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIPMOS MOSFET SPP80P06PHXKSA1 Typ P-kanálový 80 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení