AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET SPD30P06PGBTMA1 Typ P-kanálový 30 A 60 V Infineon, TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 898-6864
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-484
- Výrobní číslo:
- SPD30P06PGBTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
232,18 Kč
(bez DPH)
280,94 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 20 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
- Plus 8 840 jednotka(y) budou odesílané od 10. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 + | 23,218 Kč | 232,18 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 898-6864
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-44-484
- Výrobní číslo:
- SPD30P06PGBTMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | Typ P | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 30A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 60V | |
| Typ balení | TO-252 | |
| Řada | SIPMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 75mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 125W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 32nC | |
| Přímé napětí Vf | -1.3V | |
| Maximální provozní teplota | 175°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Délka | 6.73mm | |
| Výška | 2.41mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu Typ P | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 30A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 60V | ||
Typ balení TO-252 | ||
Řada SIPMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 75mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 125W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 32nC | ||
Přímé napětí Vf -1.3V | ||
Maximální provozní teplota 175°C | ||
Normy/schválení No | ||
Délka 6.73mm | ||
Výška 2.41mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Nelze použít
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET
Infineon SIPMOS ® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.
· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)
· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-252, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-263, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení