MPN

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 11.3 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 823-5560
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-485
Výrobní číslo:: SPP15P10PLHXKSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 11.3 A 100 V Infineon, TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení

Získejte množstevní slevu na nákup

Přidejte dalších 50 kusů a ušetřete 397,70 Kč

Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

398,41 Kč

(bez DPH)

482,08 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

5 jednotka/jednotek připraveno k odeslání
Plus 35 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Plus 80 jednotka(y) budou odesílané od 11. listopadu 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*	Úspora
5 - 45	79,682 Kč	398,41 Kč	-
50 - 120	71,728 Kč	358,64 Kč	397,70 Kč
125 - 245	66,986 Kč	334,93 Kč	1 587,00 Kč
250 - 495	62,194 Kč	310,97 Kč	4 372,00 Kč
500 +	58,292 Kč	291,46 Kč	10 695,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 823-5560
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-485
Výrobní číslo:: SPP15P10PLHXKSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	11.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	TO-220
	Řada	SIPMOS
	Typ montáže	Průchozí otvor
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor zdroje Rds	270mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	47nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	128W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Přímé napětí Vf	-0.96V
	Maximální provozní teplota	175°C
	Délka	10.36mm
	Výška	15.95mm
	Šířka	4.57mm
	Normy/schválení	No
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 11.3A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení TO-220
	Řada SIPMOS
	Typ montáže Průchozí otvor
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor zdroje Rds 270mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 47nC
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 128W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Přímé napětí Vf -0.96V
	Maximální provozní teplota 175°C
	Délka 10.36mm
	Výška 15.95mm
	Šířka 4.57mm
	Normy/schválení No
	Automobilový standard AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):: MY

Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFET

Infineon SIPMOS^® malé signální tranzistory MOSFET mají několik funkcí, mezi které patří režim vylepšení, nepřetržitý proud s nízkým výkonem až -80A a široký rozsah provozních teplot. Tranzistor SIPMOS Power tranzistor lze používat v různých aplikacích, včetně telekomunikací, eMobility, notebooků, zařízení DC/DC a také v automobilovém průmyslu.

· Kvalifikováno AEC Q101 (Viz katalogový list)

· Bezolovnaté pokovení, vyhovuje směrnici RoHS

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.