AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 1 A 100 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-5812
Výrobní číslo:: BSP322PH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 1 A 100 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

8 855,00 Kč

(bez DPH)

10 715,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Dočasně vyprodáno

Odeslání od 17. prosince 2026

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	8,855 Kč	8 855,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-5812
Výrobní číslo:: BSP322PH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	Typ P
	Typ produktu	MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	SOT-223
	Řada	SIPMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	800mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	12.4nC
	Přímé napětí Vf	840mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	-20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.8W
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální provozní teplota	150°C
	Šířka	3.5mm
	Výška	1.6mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.5mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu Typ P
	Typ produktu MOSFET
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení SOT-223
	Řada SIPMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 800mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.4nC
	Přímé napětí Vf 840mV
	Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální provozní teplota 150°C
	Šířka 3.5mm
	Výška 1.6mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.5mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):: CN

Tranzistor MOSFET Infineon řady SIPMOS, maximální zdrojové napětí 100 V, maximální ztrátový výkon 1,8 W – BSP322PH6327XTSA1

Tento MOSFET je vylepšovací zařízení s P-kanálem určené pro povrchovou montáž napájecího spínání v náročných prostředích. Pracuje v širokém teplotním rozsahu a je vhodný pro vysokonapěťové spínací úlohy P-kanálu, kde je vyžadován kompaktní tvar pouzdra a robustnost automobilové úrovně.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitý odvod 100 V umožňuje vysokonapěťové spínání
• Rds(on) 800 mΩ minimalizuje ztráty při vedení při zátěži
• Nepřetržitý vypouštěcí proud 1 A podporuje nízké až střední proudy
• Maximální ztrátový výkon 1.8 W umožňuje stabilní manipulaci s výkonem
• Typická hodnota náboje hradla 12.4 nC zajišťuje předvídatelné požadavky na pohony hradla
• Maximální napětí hradla-zdroje 20 V zajišťuje bezpečný provozní prostor

Aplikace

• Vhodné pro přepínání zátěže v automobilových elektronických modulech
• Ideální pro vysokonapěťové obvody s ochranou proti polaritě
• Používá se pro řízení napájení v systémech napájených z baterií
• Lze použít pro prevenci zpětného proudu ve stejnosměrných lištách
• Vhodné pro kompaktní stupně převodu výkonu pro povrchovou montáž

Jaký teplotní rozsah může tolerovat v terénu?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, díky čemuž je vhodný pro náročná tepelná prostředí.

Kolik kolíků a stylů montáže by konstruktéři měli očekávat?

Zařízení má čtyři kolíky a je určeno pro montáž na povrch v rozměru SOT-223.

Jaká elektrická charakteristika určuje požadavky na spínací rychlost?

Nabíjení hradla 12,4 nC označuje nabíjení požadované u hradla a informuje o výběru budiče hradla a časování pohonu.

Které rozměry mechanického pouzdra jsou důležité pro plánování rozložení?

Součástka měří 6,5 x 3,5 x 1,6 mm, což pomáhá s ohledem na půdorys a volnost.