AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET N-kanálový 1.7 A 100 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 165-7514
Výrobní číslo:: BSP373NH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET N-kanálový 1.7 A 100 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

7 784,00 Kč

(bez DPH)

9 419,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

2 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	7,784 Kč	7 784,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 165-7514
Výrobní číslo:: BSP373NH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1.7A
	Maximální napětí na zdroji Vds	100V
	Typ balení	SOT-223
	Řada	SIPMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	300mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	6.2nC
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.8W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	0.82V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Šířka	3.5mm
	Délka	6.5mm
	Výška	1.6mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu N
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.7A
	Maximální napětí na zdroji Vds 100V
	Typ balení SOT-223
	Řada SIPMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.2nC
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf 0.82V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Šířka 3.5mm
	Délka 6.5mm
	Výška 1.6mm
	Automobilový standard AEC-Q101

MOSFET Infineon řady SIPMOS, maximální zdrojové napětí vypouštění 100 V, maximální nepřetržitý vypouštěcí proud 1,7 A – BSP373NH6327XTSA1

Tento MOSFET je kompaktní N-kanálový zesilovací tranzistor navržený pro spínání a řízení napájení pro povrchovou montáž v náročných prostředích. Pracuje v širokém rozsahu teplot a zvládá mírné úrovně nepřetržitého proudu a napětí, díky čemuž je vhodný pro elektronické systémy vyžadující robustní spínací prvek vhodný pro automobilový průmysl.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota drain-zdroj 100 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace
• Rds(on) 300 mΩ snižuje ztráty při vedení při jmenovitém proudu
• nepřetržitý vypouštěcí proud 1,7 A podporuje stabilní zátěže
• Typický náboj hradla 6.2 nC umožňuje efektivní ovládání spínání
• maximální ztrátový výkon 1.8 W zvládá tepelné namáhání při použití
• Maximální napětí hradla-zdroje 20 V umožňuje flexibilní úrovně řízení hradla

Aplikace

• Vhodné pro řízení napájení v automobilových elektronických modulech
• Ideální pro měniče DC/DC v omezených sestavách
• Používá se s ovladači motorů pro řízení ovladačů s nízkou spotřebou energie
• Lze použít pro přepínání zátěže v telematických jednotkách
• Používá se pro správu baterií v pomocných systémech vozidel

Jaké pouzdro se používá pro kompaktní montáž na úroveň desky?

Je dodáván v pouzdru SOT-223 navrženém pro montáž na povrch, aby se ušetřilo místo na PCB a zároveň umožnil přenos tepla přes jazýček.

Jak si vede v prostředí s vysokými teplotami?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití ve zvýšených podmínkách okolí nebo v prostoru motoru.

Jaký počet kolíků a typ montáže by konstruktéři měli očekávat?

Zařízení používá čtyři kolíky a je určeno pro přímou povrchovou montáž na PCB pro mechanické a elektrické připojení.

Je toto zařízení vhodné pro požadavky kvalifikace v automobilovém průmyslu?

Splňuje normy AEC-Q101 pro polovodičová zařízení pro automobilový průmysl, což je v souladu se specifikacemi spolehlivosti elektroniky vozidel.