AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP373NH6327XTSA1 N-kanálový 1.7 A 100 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 752-8224
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-302
- Výrobní číslo:
- BSP373NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
135,85 Kč
(bez DPH)
164,40 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 100 jednotka(y) budou odesílané od 14. září 2026
- Plus 2 535 jednotka(y) budou odesílané od 21. září 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 27,17 Kč | 135,85 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 752-8224
- Číslo zboží společnosti Distrelec:
- 304-45-302
- Výrobní číslo:
- BSP373NH6327XTSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 1.7A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SOT-223 | |
| Řada | SIPMOS | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 300mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 1.8W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Přímé napětí Vf | 0.82V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Výška | 1.6mm | |
| Délka | 6.5mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 3.5mm | |
| Automobilový standard | AEC-Q101 | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.7A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SOT-223 | ||
Řada SIPMOS | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 6.2nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Přímé napětí Vf 0.82V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Výška 1.6mm | ||
Délka 6.5mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 3.5mm | ||
Automobilový standard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFET
Tranzistory MOSFET, Infineon
Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.
Související odkazy
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový
- AEC-Q101 SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový