AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP295H6327XTSA1 Typ N-kanálový 1.8 A 60 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

109,42 Kč

(bez DPH)

132,40 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • Plus 345 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
  • Plus 40 jednotka(y) budou odesílané od 22. června 2026
  • Plus 1 000 jednotka(y) budou odesílané od 29. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4521,884 Kč109,42 Kč
50 - 12019,464 Kč97,32 Kč
125 - 24518,18 Kč90,90 Kč
250 - 49516,846 Kč84,23 Kč
500 +15,512 Kč77,56 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
445-2269
Výrobní číslo:
BSP295H6327XTSA1
Výrobce:
Infineon
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Infineon

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

1.8A

Maximální napětí na zdroji Vds

60V

Řada

SIPMOS

Typ balení

SOT-223

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

4

Maximální odpor zdroje Rds

300mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální ztrátový výkon Pd

1.8W

Přímé napětí Vf

1.1V

Typický náboj brány Qg @ Vgs

14nC

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.6mm

Normy/schválení

No

Délka

6.5mm

Automobilový standard

AEC-Q101

MOSFETy Infineon řady SIPMOS®, maximální trvalý proud na odtoku 1,8 A, maximální ztrátový výkon 1,8 W - BSP295H6327XTSA1


Tento tranzistor MOSFET je navržen pro vysoce výkonné aplikace v automatizaci a elektronice. Jeho N-kanálová konfigurace v kombinaci s efektivním provedením pro povrchovou montáž umožňuje efektivní řízení proudu, takže je vhodný pro řadu průmyslových aplikací. Podporuje maximální napětí drain-source 60 V, což zajišťuje konzistentní výkon pro různé projekty.

Vlastnosti a výhody


• Trvale zvládá odtokový proud 1,8 A

• Nízký maximální odpor dren-source 300 mΩ

• Široký rozsah napětí na hradle a zdroji od -20 V do +20 V

• Kvalifikace podle automobilového standardu AEC-Q101 pro spolehlivost

Aplikace


• Systémy řízení spotřeby pro efektivní řízení výkonu

• Motorové pohony pro spolehlivé spínání

• Zesílení signálu v různých elektronických zařízeních

• Automobilové elektronické řídicí jednotky

Jaký je typický ztrátový výkon součástky?


Za stanovených podmínek dokáže odvést až 1,8 W pro efektivní řízení tepla během provozu.

Jak ovlivňuje prahové napětí hradla výkon?


Maximální prahové napětí hradla je 1,8 V, což umožňuje MOSFETu dosáhnout optimálního výkonu při nízkých vstupních úrovních.

Zvládne tato součástka pulzní odtokové proudy?


Ano, je dimenzován na pulzní odběrový proud až 6 A, což mu umožňuje efektivně zvládat přechodné stavy.

Jaké jsou možnosti balení?


MOSFET je k dispozici v pouzdře pro povrchovou montáž SOT-223, které je optimalizováno pro prostorově úsporné konstrukce.

Je zařízení v souladu s ekologickými normami?


Je vybaven bezolovnatým pokovením Pb a splňuje požadavky směrnice RoHS, čímž vyhovuje současným předpisům na ochranu životního prostředí.

Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.