AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP315PH6327XTSA1 Typ P-kanálový 1.17 A 60 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový

Skladové číslo RS:: 826-9238
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-415
Výrobní číslo:: BSP315PH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET BSP315PH6327XTSA1 Typ P-kanálový 1.17 A 60 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

573,85 Kč

(bez DPH)

694,35 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

9 650 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za balení*
50 +	11,477 Kč	573,85 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 826-9238
Číslo zboží společnosti Distrelec:: 304-44-415
Výrobní číslo:: BSP315PH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1.17A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Řada	SIPMOS
	Typ balení	SOT-223
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	800mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.8W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	20V
	Přímé napětí Vf	-0.97V
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	5.2nC
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.6mm
	Normy/schválení	No
	Šířka	3.5mm
	Délka	6.5mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.17A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Řada SIPMOS
	Typ balení SOT-223
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 800mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V
	Přímé napětí Vf -0.97V
	Minimální provozní teplota -55°C
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 5.2nC
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.6mm
	Normy/schválení No
	Šířka 3.5mm
	Délka 6.5mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Tranzistor MOSFET Infineon řady SIPMOS, maximální zdrojové napětí 60 V, maximální ztrátový výkon 1,8 W – BSP315PH6327XTSA1

Tento MOSFET je tranzistor s P-kanálem s režimem zesílení navržený pro spínání napájení pro povrchovou montáž v automobilovém a průmyslovém prostředí. Nabízí střední schopnost manipulace s proudem a napětím pro spínání zátěže a ochranu proti obrácené polaritě v kompaktních sestavách a je vhodný pro prostředí, která vyžadují provoz při prodloužené teplotě.

Charakteristiky a výhody:

• Jmenovitá hodnota odtoku-zdroje 60 V pro schopnost spínání při středním napětí
• nepřetržitý vypouštěcí proud 1.17 A pro malý signálový výkon
• Maximální hodnota RDS(on) 800 mΩ pro nižší ztráty při vedení
• Typický náboj hradla 5.2 nC pro efektivní ovládání hradla
• Rozptýlení výkonu 1.8 W umožňuje trvale nízkovýkonový provoz
• Certifikace AEC-Q101 pro odolnost vůči namáhání v automobilovém průmyslu

Aplikace

• Vhodné pro spínání zátěže při řízení akumulátoru ve vozidlech
• Ideální pro ochranu proti obrácené polaritě v automobilové elektronice
• Používá se s nízkonapěťovými měniči DC/DC pro spínání na vysoké straně
• Lze použít pro odpojení zátěže v telematických modulech
• Vhodné pro kompaktní desky pro řízení napájení vyžadující povrchovou montáž

V jakém teplotním rozsahu může pracovat?

Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, aby vyhovoval prostředí s vysokými teplotami.

Jaké pouzdro a způsob montáže používá?

Zařízení je dodáváno v pouzdru SOT-223 a je určeno pro povrchovou montáž.

Kolik kolíků je k dispozici pro připojení obvodů?

Poskytuje čtyři kolíky pro uspořádání zdroje, odtoku, hradla a montáže/kontaktu.

Jaké maximální napětí hradla by mělo být při používání dodržováno?

Napětí zdroje brány nesmí překročit 20 V, aby se zabránilo namáhání zařízení.