AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 60 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 911-4791
Výrobní číslo:: BSP171PH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

AEC-Q101, řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 1.9 A 60 V Infineon, SOT-223, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

5 857,00 Kč

(bez DPH)

7 087,00 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč

Skladem

20 000 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa

Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	5,857 Kč	5 857,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 911-4791
Výrobní číslo:: BSP171PH6327XTSA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	1.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds	60V
	Typ balení	SOT-223
	Řada	SIPMOS
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	4
	Maximální odpor zdroje Rds	300mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	13nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd	1.8W
	Přímé napětí Vf	-1.1V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Výška	1.6mm
	Normy/schválení	No
	Délka	6.5mm
	Automobilový standard	AEC-Q101

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 1.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds 60V
	Typ balení SOT-223
	Řada SIPMOS
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 4
	Maximální odpor zdroje Rds 300mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 13nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální ztrátový výkon Pd 1.8W
	Přímé napětí Vf -1.1V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Výška 1.6mm
	Normy/schválení No
	Délka 6.5mm
	Automobilový standard AEC-Q101

Země původu (Country of Origin):: MY

MOSFETy Infineon řady SIPMOS®, maximální trvalý proud na odtoku 1,9 A, maximální ztrátový výkon 1,8 W - BSP171PH6327XTSA1

Tento tranzistor MOSFET je určen pro vysoce výkonné spínací aplikace a využívá technologii P-kanálu. Díky technologii SIPMOS® zajišťuje spolehlivý provoz v kompaktním pouzdře SOT-223, takže je vhodnou volbou pro automobilové a průmyslové aplikace. Trvalý proud 1,9 A a maximální napětí 60 V zvyšují jeho účinnost při efektivním řízení napájení při různých způsobech použití.

Vlastnosti a výhody

• P-kanálová konfigurace podporuje aplikace s nízkou stranou spínání

• Provoz v režimu vylepšení podporuje efektivní výkon

• Konstrukce pro povrchovou montáž šetří cenný prostor na desce plošných spojů

• Jsou určeny pro vysoké teploty až do +150 °C, což zajišťuje jejich trvanlivost

• Nízký Rds(on) snižuje ztráty energie při spínání

Aplikace

• Spínání zátěže v automobilové elektronice

• Obvody pro řízení spotřeby pro energetickou účinnost

• Vysokofrekvenční vyžadující rychlé přepínání

• Hnací zátěže v zařízeních spotřební elektroniky

• Napájecí obvody vyžadující kompaktní řešení

Jaké je maximální napětí drain-source, které tato součástka zvládne?

Součástka vydrží maximální napětí drain-source 60 V, takže je vhodná pro různé aplikace.

Jak se tato součást chová při zvýšených teplotách?

Efektivně pracuje při teplotách až +150 °C a poskytuje výkon v náročných prostředích.

Lze jej použít v bateriových obvodech?

Ano, jeho nízké Rds(on) výrazně snižuje ztráty energie, takže je vhodný pro zařízení napájená z baterie.

Jaký význam má lavinový stupeň?

Lavinový rating znamená, že zařízení dokáže absorbovat energetické špičky, což zvyšuje jeho odolnost a spolehlivost při přechodových jevech.

Jak mohu zajistit správnou instalaci na desku plošných spojů?

Při instalaci je nutné dodržet rozměrové specifikace pro pouzdro SOT-223 a zajistit odpovídající tepelný management.