řada: SIPMOS®MOSFET SPP15P10PHXKSA1 P-kanálový 15 A 100 V, TO-220, počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 145-9743
- Výrobní číslo:
- SPP15P10PHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 145-9743
- Výrobní číslo:
- SPP15P10PHXKSA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | P | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 15 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 100 V | |
| Typ balení | TO-220 | |
| Series | SIPMOS® | |
| Typ montáže | Průchozí otvor | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 240 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 128 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Šířka | 4.57mm | |
| Délka | 10.36mm | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 37 nC při 10 V | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Výška | 15.95mm | |
| Propustné napětí diody | 1.35V | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu P | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 15 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V | ||
Typ balení TO-220 | ||
Series SIPMOS® | ||
Typ montáže Průchozí otvor | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 240 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.1V | ||
Maximální ztrátový výkon 128 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Šířka 4.57mm | ||
Délka 10.36mm | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 37 nC při 10 V | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Výška 15.95mm | ||
Propustné napětí diody 1.35V | ||
- Země původu (Country of Origin):
- MY
Související odkazy
- řada: SIPMOS®MOSFET SPP15P10PHXKSA1 P-kanálový 15 A 100 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: SIPMOS®MOSFET SPD04P10PLGBTMA1 P-kanálový 4 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: SIPMOS®MOSFET BSP129H6906XTSA1 N-kanálový 280 mA 240 V počet kolíků: 3 Vyčerpání Jednoduchý Si
- řada: SIPMOS MOSFET Typ P-kanálový 80 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- řada: SIPMOS MOSFET SPP80P06PHXKSA1 Typ P-kanálový 80 A 60 V Infineon počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový
- AEC-Q101 TO-220, počet kolíků: 3 kolíkový Vylepšení
- MOSFET NTP2955G P-kanálový 12 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si