MPN

řada: SIPMOS®MOSFET SPD04P10PLGBTMA1 P-kanálový 4,2 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 balení po 50 kusech)*

910,30 Kč

(bez DPH)

1 101,45 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	4,2 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Typ balení	DPAK (TO-252)
	Series	SIPMOS®
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	1,05 Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
	Maximální ztrátový výkon	38 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	12 nC při 10 V
	Délka	6.73mm
	Šířka	6.22mm
	Počet prvků na čip	1
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	2.41mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 4,2 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Typ balení DPAK (TO-252)
	Series SIPMOS®
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 1,05 Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V
	Maximální ztrátový výkon 38 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 12 nC při 10 V
	Délka 6.73mm
	Šířka 6.22mm
	Počet prvků na čip 1
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 2.41mm

Nelze použít

Související odkazy