MPN

řada: SIPMOS®MOSFET SPD04P10PLGBTMA1 P-kanálový 4,2 A 100 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	4,2 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	100 V
	Series	SIPMOS®
	Typ balení	DPAK (TO-252)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	1,05 Ω
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
	Maximální ztrátový výkon	38 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Počet prvků na čip	1
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	6.22mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	12 nC při 10 V
	Délka	6.73mm
	Výška	2.41mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 4,2 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 100 V
	Series SIPMOS®
	Typ balení DPAK (TO-252)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 1,05 Ω
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V
	Maximální ztrátový výkon 38 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Počet prvků na čip 1
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 6.22mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 12 nC při 10 V
	Délka 6.73mm
	Výška 2.41mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Nelze použít

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.