MOSFET 2SK2926L-E N-kanálový 60 A 60 V, DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 772-5365P
- Výrobní číslo:
- 2SK2926L-E
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet 20 jednotky/-ek (dodává se v tubě)*
430,96 Kč
(bez DPH)
521,46 Kč
(s DPH)
Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později
Ks | za jednotku |
|---|---|
| 20 - 95 | 21,548 Kč |
| 100 - 245 | 21,018 Kč |
| 250 - 495 | 20,592 Kč |
| 500 + | 20,222 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 772-5365P
- Výrobní číslo:
- 2SK2926L-E
- Výrobce:
- Renesas Electronics
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Renesas Electronics | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 60 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 60 V | |
| Typ balení | DPAK (TO-252) | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 110 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 2.5V | |
| Maximální ztrátový výkon | 25 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Maximální pracovní teplota | +150 °C | |
| Délka | 6.5mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Šířka | 2.3mm | |
| Výška | 7.2mm | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Renesas Electronics | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 60 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 60 V | ||
Typ balení DPAK (TO-252) | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 110 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2.5V | ||
Maximální ztrátový výkon 25 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Maximální pracovní teplota +150 °C | ||
Délka 6.5mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Šířka 2.3mm | ||
Výška 7.2mm | ||
Související odkazy
- MOSFET 2SK2869L-E N-kanálový 80 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NTD5865NG N-kanálový 43 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET FQD7P06TM P-kanálový 5.4 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET NDD05N50ZT4G N-kanálový 5 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: HEXFETMOSFET IRFS3306PBF N-kanálový 160 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: QFETMOSFET FQD20N06TM N-kanálový 17 A 60 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- MOSFET TSM70N600CP ROG N-kanálový 8 A 700 V počet kolíků: 3 Jednoduchý
- MOSFET TSM2N100CP ROG N-kanálový 1 DPAK (TO-252), počet kolíků: 3 Jednoduchý