řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPB90N04S402ATMA1 N-kanálový 90 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Skladové číslo RS:: 857-4565
Výrobní číslo:: IPB90N04S402ATMA1
Výrobce:: Infineon

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPB90N04S402ATMA1 N-kanálový 90 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

28 823,00 Kč

(bez DPH)

34 876,00 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 - 1000	28,823 Kč	28 823,00 Kč
2000 - 4000	28,084 Kč	28 084,00 Kč
5000 +	27,382 Kč	27 382,00 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 857-4565
Výrobní číslo:: IPB90N04S402ATMA1
Výrobce:: Infineon

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	90 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	40 V
	Series	OptiMOS™ -T2
	Typ balení	D2PAK (TO-263)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	2,5 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Maximální ztrátový výkon	150 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Délka	10mm
	Počet prvků na čip	1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	91 nC při 10 V
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	9.25mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	4.4mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 90 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 40 V
	Series OptiMOS™ -T2
	Typ balení D2PAK (TO-263)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 2,5 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Maximální ztrátový výkon 150 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Délka 10mm
	Počet prvků na čip 1
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 91 nC při 10 V
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 9.25mm
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 4.4mm

Nelze použít

Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET

Infineon má novou řadu energeticky úsporných tranzistorů MOSFET s redukcí CO2 a elektrickými jednotkami. Nová produktová řada OptiMOS™ -T2 rozšiřuje stávající řady produktů OptiMOS™ -T a OptiMOS™.

Produkty OptiMOS™ jsou k dispozici ve vysoce výkonných balíčcích, které se zabývají nejnáročnějšími aplikacemi a poskytují plnou flexibilitu v omezených prostorách. Tyto produkty Infineon jsou navrženy tak, aby splňovaly požadavky na energetickou účinnost a hustotu energie na základě naostřených standardů nové generace pro regulaci napětí v počítačových aplikacích.

N-kanál – Režim rozlišení
Kvalifikováno pro AEC
MSL1 až Peak 260°
Provozní teplota 175 °C
Zelený výrobek (vyhovuje směrnici RoHS)

Tranzistory MOSFET, Infineon

Společnost Infineon nabízí velké a komplexní portfolio zařízení MOSFET, které zahrnuje rodiny CoolMOS, OptiMOS a StrongIRFET. Poskytují nejlepší výkon ve své třídě, který přináší vyšší efektivitu, hustotu energie a efektivitu nákladů. Návrhy vyžadující vysoce kvalitní a vylepšené funkce ochrany využívají standardy MOSFET AEC-Q101, které byly schváleny automobilovým průmyslem.

řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPB90N04S402ATMA1 N-kanálový 90 A 40 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Infineon OptiMOS™ T2 - výkonové tranzistory MOSFET

Související odkazy