MPN

řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S2L09ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Využijte množstevní slevu

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

20 005,00 Kč

(bez DPH)

24 206,00 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	55 V
	Typ balení	D2PAK (TO-263)
	Series	OptiMOS™
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	11,3 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1.2V
	Maximální ztrátový výkon	190 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	82 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Délka	10mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Šířka	9.25mm
	Počet prvků na čip	1
	Výška	4.4mm
	Minimální provozní teplota	-55 °C

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu N
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 55 V
	Typ balení D2PAK (TO-263)
	Series OptiMOS™
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 11,3 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1.2V
	Maximální ztrátový výkon 190 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 82 nC při 10 V
	Materiál tranzistoru Si
	Délka 10mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Šířka 9.25mm
	Počet prvků na čip 1
	Výška 4.4mm
	Minimální provozní teplota -55 °C

Nelze použít

Související odkazy