řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S208ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- Skladové číslo RS:
- 857-4515
- Výrobní číslo:
- IPB80N06S208ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné
- Skladové číslo RS:
- 857-4515
- Výrobní číslo:
- IPB80N06S208ATMA1
- Výrobce:
- Infineon
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Infineon | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální stejnosměrný odběrový proud | 80 A | |
| Maximální napětí kolektor/zdroj | 55 V | |
| Typ balení | D2PAK (TO-263) | |
| Series | OptiMOS™ | |
| Typ montáže | Povrchová montáž | |
| Počet kolíků | 3 | |
| Maximální odpor kolektor/zdroj | 6,6 mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální prahové napětí řídicí elektrody | 4V | |
| Minimální prahové napětí řídicí elektrody | 2.1V | |
| Maximální ztrátový výkon | 250 W | |
| Konfigurace tranzistoru | Jednoduchý | |
| Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj | -20 V, +20 V | |
| Počet prvků na čip | 1 | |
| Délka | 10mm | |
| Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs | 86 nC při 10 V | |
| Šířka | 9.25mm | |
| Materiál tranzistoru | Si | |
| Maximální pracovní teplota | +175 °C | |
| Výška | 4.4mm | |
| Minimální provozní teplota | -55 °C | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Infineon | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální stejnosměrný odběrový proud 80 A | ||
Maximální napětí kolektor/zdroj 55 V | ||
Typ balení D2PAK (TO-263) | ||
Series OptiMOS™ | ||
Typ montáže Povrchová montáž | ||
Počet kolíků 3 | ||
Maximální odpor kolektor/zdroj 6,6 mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální prahové napětí řídicí elektrody 4V | ||
Minimální prahové napětí řídicí elektrody 2.1V | ||
Maximální ztrátový výkon 250 W | ||
Konfigurace tranzistoru Jednoduchý | ||
Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -20 V, +20 V | ||
Počet prvků na čip 1 | ||
Délka 10mm | ||
Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 86 nC při 10 V | ||
Šířka 9.25mm | ||
Materiál tranzistoru Si | ||
Maximální pracovní teplota +175 °C | ||
Výška 4.4mm | ||
Minimální provozní teplota -55 °C | ||
Nelze použít
Související odkazy
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S2L09ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S207ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™MOSFET IPB80N06S2L06ATMA1 N-kanálový 80 A 55 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPB80N04S404ATMA1 N-kanálový 80 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS™ -T2MOSFET IPB90N04S402ATMA1 N-kanálový 90 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS PMOSFET IPB80P04P4L06ATMA1 P-kanálový 80 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS PMOSFET IPB80P04P4L04ATMA1 P-kanálový 80 A 40 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si
- řada: OptiMOS PMOSFET IPB80P03P4L07ATMA1 P-kanálový 80 A 30 V počet kolíků: 3 Jednoduchý Si