MPN

řada: OptiMOS PMOSFET IPB80P03P4L07ATMA1 P-kanálový 80 A 30 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Mezisoučet (1 naviják po 1000 kusech)*

20 080,00 Kč

(bez DPH)

24 300,00 Kč

(s DPH)

Informace o zásobách jsou momentálně nepřístupné - Ověřte si to později

Ks	za jednotku	za cívku*
1000 +	20,08 Kč	20 080,00 Kč

*orientační cena

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Řada	OptiMOS P
	Typ balení	D2PAK (TO-263)
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	12,3 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
	Maximální ztrátový výkon	88 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-16 V, +5 V
	Šířka	9.25mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	63 nC při 10 V
	Délka	10mm
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Materiál tranzistoru	Si
	Počet prvků na čip	1
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	4.4mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Řada OptiMOS P
	Typ balení D2PAK (TO-263)
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 12,3 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V
	Maximální ztrátový výkon 88 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -16 V, +5 V
	Šířka 9.25mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 63 nC při 10 V
	Délka 10mm
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Materiál tranzistoru Si
	Počet prvků na čip 1
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 4.4mm

Výjimka

Související odkazy