MPN

řada: OptiMOS PMOSFET IPB80P03P4L04ATMA1 P-kanálový 80 A 30 V, D2PAK (TO-263), počet kolíků: 3 Jednoduchý Si

Informace o zásobách jsou momentálně nedostupné

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Infineon
	Typ kanálu	P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud	80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj	30 V
	Typ balení	D2PAK (TO-263)
	Series	OptiMOS P
	Typ montáže	Povrchová montáž
	Počet kolíků	3
	Maximální odpor kolektor/zdroj	7 mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody	2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody	1V
	Maximální ztrátový výkon	137 W
	Konfigurace tranzistoru	Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj	-16 V, +5 V
	Materiál tranzistoru	Si
	Šířka	9.25mm
	Počet prvků na čip	1
	Maximální pracovní teplota	+175 °C
	Délka	10mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs	125 nC při 10 V
	Minimální provozní teplota	-55 °C
	Výška	4.4mm

	Vybrat vše
	Značka Infineon
	Typ kanálu P
	Maximální stejnosměrný odběrový proud 80 A
	Maximální napětí kolektor/zdroj 30 V
	Typ balení D2PAK (TO-263)
	Series OptiMOS P
	Typ montáže Povrchová montáž
	Počet kolíků 3
	Maximální odpor kolektor/zdroj 7 mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Maximální prahové napětí řídicí elektrody 2V
	Minimální prahové napětí řídicí elektrody 1V
	Maximální ztrátový výkon 137 W
	Konfigurace tranzistoru Jednoduchý
	Maximální napětí řídicí elektroda/zdroj -16 V, +5 V
	Materiál tranzistoru Si
	Šířka 9.25mm
	Počet prvků na čip 1
	Maximální pracovní teplota +175 °C
	Délka 10mm
	Typický náboj řídicí elektrody při hodnotě Vgs 125 nC při 10 V
	Minimální provozní teplota -55 °C
	Výška 4.4mm

Nelze použít

Související odkazy

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.