řada: Si7454DDP MOSFET SI7454DDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 21 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 787-9241
- Výrobní číslo:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
345,31 Kč
(bez DPH)
417,83 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 5 830 jednotka(y) budou odesílané od 15. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 34,531 Kč | 345,31 Kč |
| 100 - 240 | 32,802 Kč | 328,02 Kč |
| 250 - 490 | 27,59 Kč | 275,90 Kč |
| 500 - 990 | 22,428 Kč | 224,28 Kč |
| 1000 + | 18,97 Kč | 189,70 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 787-9241
- Výrobní číslo:
- SI7454DDP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 21A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 100V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | Si7454DDP | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 47mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 12.8nC | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 29.7W | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.12mm | |
| Délka | 6.25mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 21A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 100V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada Si7454DDP | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 47mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 12.8nC | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 29.7W | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.12mm | ||
Délka 6.25mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: Si7454DDP MOSFET Typ N-kanálový 21 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4190BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 17 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI4534DY-T1-GE3 Typ N SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA14DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 58 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA88DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR401DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 50 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA00DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
