řada: TrenchFET MOSFET SIRA06DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 787-9373
- Výrobní číslo:
- SIRA06DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 páska po 5 kusech)*
240,33 Kč
(bez DPH)
290,80 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Dočasně vyprodáno
- Odeslání od 24. září 2027
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za pásku* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 48,066 Kč | 240,33 Kč |
| 50 - 245 | 40,804 Kč | 204,02 Kč |
| 250 - 495 | 33,74 Kč | 168,70 Kč |
| 500 - 1245 | 31,666 Kč | 158,33 Kč |
| 1250 + | 29,838 Kč | 149,19 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 787-9373
- Výrobní číslo:
- SIRA06DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 40A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Řada | TrenchFET | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 3.5mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 62.5W | |
| Přímé napětí Vf | 0.73V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 51nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 6.25mm | |
| Šířka | 5.26mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Výška | 1.12mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 40A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Typ balení SO-8 | ||
Řada TrenchFET | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 3.5mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 62.5W | ||
Přímé napětí Vf 0.73V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 51nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 6.25mm | ||
Šířka 5.26mm | ||
Normy/schválení No | ||
Výška 1.12mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: TrenchFET MOSFET Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA14DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 58 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA88DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR401DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 50 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA00DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4447ADY-T1-GE3 Typ P-kanálový 7.2 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4459ADY-T1-GE3 Typ P-kanálový 29 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4425DDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 19.7 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení