řada: TrenchFET MOSFET SI4825DDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 14.9 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Skladové číslo RS:: 180-8134
Výrobní číslo:: SI4825DDY-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

řada: TrenchFET MOSFET SI4825DDY-T1-GE3 Typ P-kanálový 14.9 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Mezisoučet (1 balení po 10 kusech)*

71,06 Kč

(bez DPH)

85,98 Kč

(s DPH)

Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 500,00 Kč

Poslední zásoby RS

Posledních 2 150 ks/položek skladem k odeslání z jiného místa

Ks	za jednotku	za balení*
10 +	7,106 Kč	71,06 Kč

*orientační cena

Skladové číslo RS:: 180-8134
Výrobní číslo:: SI4825DDY-T1-GE3
Výrobce:: Vishay

Specifikace

Technické reference

Legislativa a životní prostředí

Podrobnosti o výrobku

Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.

Vybrat vše	Atribut	Hodnota
	Značka	Vishay
	Typ produktu	MOSFET
	Typ kanálu	Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id	14.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds	30V
	Typ balení	SO-8
	Řada	TrenchFET
	Typ montáže	Povrch
	Počet kolíků	8
	Maximální odpor zdroje Rds	20.5mΩ
	Režim kanálu	Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs	29.5nC
	Minimální provozní teplota	-55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs	25 V
	Maximální ztrátový výkon Pd	3.2W
	Přímé napětí Vf	-1.2V
	Maximální provozní teplota	150°C
	Normy/schválení	No
	Délka	5mm
	Šířka	6.2 mm
	Výška	1.75mm
	Automobilový standard	Ne

	Vybrat vše
	Značka Vishay
	Typ produktu MOSFET
	Typ kanálu Typ P
	Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 14.9A
	Maximální napětí na zdroji Vds 30V
	Typ balení SO-8
	Řada TrenchFET
	Typ montáže Povrch
	Počet kolíků 8
	Maximální odpor zdroje Rds 20.5mΩ
	Režim kanálu Vylepšení
	Typický náboj brány Qg @ Vgs 29.5nC
	Minimální provozní teplota -55°C
	Maximální napětí zdroje brány Vgs 25 V
	Maximální ztrátový výkon Pd 3.2W
	Přímé napětí Vf -1.2V
	Maximální provozní teplota 150°C
	Normy/schválení No
	Délka 5mm
	Šířka 6.2 mm
	Výška 1.75mm
	Automobilový standard Ne

Datasheet

Země původu (Country of Origin):: CN

MOSFET Vishay

Vishay povrchová montáž P-kanál MOSFET je nový věk produkt s odvodem-zdroj napětí 30V a maximální hradlo-zdroj napětí 25V. Má odpor zdroje vypouštění 12,5mohm při napětí hradla-zdroje 10V. Má maximální ztrátový výkon 5 W a trvalý vypouštěcí proud 14,9A. Má minimální a maximální napájecí napětí 4.5V a 10V. MOSFET byl optimalizován pro nižší spínání a ztráty vedení. MOSFET nabízí vynikající účinnost spolu s dlouhou a produktivní životností, aniž by došlo ke snížení výkonu nebo funkčnosti.

Charakteristiky a výhody

• Bez halogenů

• olovo (Pb) zdarma

• provozní teplota se pohybuje mezi -55°C a 150°C.

• TrenchFET napájení MOSFET

Aplikace

• Spínač zátěže

• přepínač adaptéru notebooku

Certifikace

• ANSI/ESD S20.20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• testováno RG

• UIS testován