řada: TrenchFET MOSFET SIRA14DP-T1-GE3 N-kanálový 58 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (10 jednotky/-ek, na pásce po 10 ks)*

171,67 Kč

(bez DPH)

207,72 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 1 970 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za pásku*
10 - 9017,167 Kč171,67 Kč
100 - 49016,302 Kč163,02 Kč
500 - 99014,573 Kč145,73 Kč
1000 - 249010,621 Kč106,21 Kč
2500 +9,633 Kč96,33 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
787-9389
Výrobní číslo:
SIRA14DP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ produktu

MOSFET

Typ kanálu

N

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

58A

Maximální napětí na zdroji Vds

30V

Typ balení

SO-8

Řada

TrenchFET

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

8.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Maximální ztrátový výkon Pd

31.2W

Typický náboj brány Qg @ Vgs

19.4nC

Přímé napětí Vf

0.76V

Maximální napětí zdroje brány Vgs

-16, +20V

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.12mm

Šířka

5.26mm

Délka

6.25mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

N-Channel MOSFET, TrenfET Gen IV, Vishay Semiconductor


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.