řada: SiR870ADP MOSFET SIR870ADP-T1-GE3 Typ N-kanálový 60 A 100 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení

Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného nacenění

Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*

314,18 Kč

(bez DPH)

380,16 Kč

(s DPH)

Add to Basket
Zadejte množství
Skladem
  • 4 735 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.

Ks
za jednotku
za balení*
5 - 4562,836 Kč314,18 Kč
50 - 12056,564 Kč282,82 Kč
125 - 24550,19 Kč250,95 Kč
250 - 49547,178 Kč235,89 Kč
500 +43,966 Kč219,83 Kč

*orientační cena

Typy balení:
Skladové číslo RS:
787-9355
Výrobní číslo:
SIR870ADP-T1-GE3
Výrobce:
Vishay
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše

Značka

Vishay

Typ kanálu

Typ N

Typ produktu

MOSFET

Maximální trvalý vypouštěcí proud Id

60A

Maximální napětí na zdroji Vds

100V

Typ balení

SO-8

Řada

SiR870ADP

Typ montáže

Povrch

Počet kolíků

8

Maximální odpor zdroje Rds

10.5mΩ

Režim kanálu

Vylepšení

Typický náboj brány Qg @ Vgs

53.5nC

Přímé napětí Vf

1.1V

Maximální ztrátový výkon Pd

104W

Minimální provozní teplota

-55°C

Maximální provozní teplota

150°C

Výška

1.12mm

Délka

6.25mm

Normy/schválení

No

Automobilový standard

Ne

Tranzistor MOSFET N-Channel, 100 V až 150 V, Vishay


Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor


Související odkazy

Buďte první u novinek ze světa RS

Váš e-mail

Osobní údaje, které nám poskytnete při registraci do mailing listu, budou zpracovány v souladu s našimi Zásadami ochrany osobních údajů.