řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5 A 150 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9898
- Výrobní číslo:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 10 kusech)*
151,66 Kč
(bez DPH)
183,51 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 2 500 jednotka(y) budou odesílané od 08. června 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,166 Kč | 151,66 Kč |
| 50 - 90 | 11,313 Kč | 113,13 Kč |
| 100 - 240 | 10,078 Kč | 100,78 Kč |
| 250 - 990 | 9,806 Kč | 98,06 Kč |
| 1000 + | 9,658 Kč | 96,58 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 279-9898
- Výrobní číslo:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | SI | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.089Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 4.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada SI | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.089Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 4.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4190BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 17 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI4534DY-T1-GE3 Typ N SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiRA99DP MOSFET SIRA99DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 195 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiRA74DP MOSFET SiRA74DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 81.2 A 40 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SiRA84BDP MOSFET SiRA84BDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 70 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SI4459ADY-T1-GE3 Typ P-kanálový 29 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA06DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 40 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení