řada: SiR462DP MOSFET SIR462DP-T1-GE3 N-kanálový 19 A 30 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 710-3402
- Výrobní číslo:
- SIR462DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Mezisoučet (1 balení po 5 kusech)*
98,80 Kč
(bez DPH)
119,55 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- Plus 1 900 jednotka(y) budou odesílané od 28. října 2026
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 5 + | 19,76 Kč | 98,80 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 710-3402
- Výrobní číslo:
- SIR462DP-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 19A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 30V | |
| Řada | SiR462DP | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 8mΩ | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | -20V, +20V | |
| Přímé napětí Vf | 800mV | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 20nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 4.8W | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 4.9mm | |
| Normy/schválení | No | |
| Šířka | 5.89mm | |
| Výška | 1.04mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 19A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 30V | ||
Řada SiR462DP | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 8mΩ | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs -20V, +20V | ||
Přímé napětí Vf 800mV | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 20nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 4.8W | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 4.9mm | ||
Normy/schválení No | ||
Šířka 5.89mm | ||
Výška 1.04mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- CN
Tranzistor MOSFET N-Channel, 30 až 50 V, společnost Vishay Semiconductor
Tranzistory MOSFET, Vishay Semiconductor
Související odkazy
- řada: SiR462DP MOSFET SIR462DP-T1-GE3 N-kanálový 19 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 N-kanálový 5 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4190BDY-T1-GE3 N-kanálový 17 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS4302DP-T1-GE3 N-kanálový 478 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA20BDP-T1-GE3 N-kanálový 335 A 25 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5800DP-T1-GE3 N-kanálový 265 A 80 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SIRS MOSFET SIRS5100DP-T1-GE3 N-kanálový 225 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA88DP-T1-GE3 N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení