řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 N-kanálový 5 A 150 V Vishay, SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 279-9896
- Výrobní číslo:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Momentálně nedostupné
Litujeme, nevíme, kdy tato položka bude opět skladem.
Alternativa
Tento produkt není v současné chvíli dostupný. Prohlédněte si alternativní výrobek, který jsme pro Vás našli.
Kus (v jednotce baleni à 10)
175,12 Kč
(bez DPH)
211,90 Kč
(s DPH)
- Skladové číslo RS:
- 279-9896
- Výrobní číslo:
- SI4848BDY-T1-GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 5A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 150V | |
| Řada | SI | |
| Typ balení | SO-8 | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 8 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.089Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 20V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 4.5W | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 9nC | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 5A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 150V | ||
Řada SI | ||
Typ balení SO-8 | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 8 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.089Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 20V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 4.5W | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 9nC | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
MOSFET Vishay je MOSFET s N-kanálem a tranzistor v něm je vyroben z materiálu známého jako křemík.
Výkonový MOSFET TrenchFET
Zařízení zcela bez obsahu olova (Pb)
Velmi nízká hodnota RDS x hodnota Qg podle zásluh
100% testování Rg a UIS
Související odkazy
- řada: SI MOSFET SI4848BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 5 A 150 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: SI MOSFET SI4190BDY-T1-GE3 Typ N-kanálový 17 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- MOSFET SI4534DY-T1-GE3 Typ N SO-8, počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA14DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 58 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA88DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 45.5 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIR401DP-T1-GE3 Typ P-kanálový 50 A 20 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: Si7454DDP MOSFET SI7454DDP-T1-GE3 Typ N-kanálový 21 A 100 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení
- řada: TrenchFET MOSFET SIRA00DP-T1-GE3 Typ N-kanálový 100 A 30 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový Vylepšení