řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 N-kanálový 13 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- Skladové číslo RS:
- 268-8303
- Výrobní číslo:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
232,43 Kč
(bez DPH)
281,24 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 990 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 116,215 Kč | 232,43 Kč |
| 50 - 98 | 104,48 Kč | 208,96 Kč |
| 100 - 248 | 85,46 Kč | 170,92 Kč |
| 250 - 998 | 83,98 Kč | 167,96 Kč |
| 1000 + | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8303
- Výrobní číslo:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ kanálu | N | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Řada | SIHH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.25Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23nC | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Délka | 8mm | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ kanálu N | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Řada SIHH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.25Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Délka 8mm | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
MOSFET řady Vishay SIHH, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHH250N60EF-T1GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťové spínací zařízení určené pro aplikace s převodem výkonu a řízením, kde je vyžadována kompaktní povrchová montáž. Funguje jako tranzistor N-kanálu s režimem zesílení a je navržen tak, aby zvládl zvýšená napětí a proudy v náročných tepelných prostředích a zároveň splňoval omezení RoHS.
Charakteristiky a výhody:
• Jmenovitá hodnota 650 V umožňuje vysoké spínání napětí
• Stálý proud 13 A podporuje pohon značné zátěže
• Rds(on) 0.25 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalý tepelný výkon
• Typický náboj hradla 23 nC umožňuje přechod hradla s mírnou rychlostí
• Maximální napětí 30 V Vgs zajišťuje robustní rozpětí hradla
• Stálý proud 13 A podporuje pohon značné zátěže
• Rds(on) 0.25 Ω snižuje ztráty při vedení při zátěži
• Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalý tepelný výkon
• Typický náboj hradla 23 nC umožňuje přechod hradla s mírnou rychlostí
• Maximální napětí 30 V Vgs zajišťuje robustní rozpětí hradla
Aplikace
• Vhodné pro offline spínané napájecí zdroje
• Ideální pro vysokonapěťové stupně pohonu motoru
• Používá se s izolovanými ovladači hradla v napájecích měničích
• Lze použít pro rezonanční a měkké spínací topologie
• Vhodné pro průmyslové moduly řízení napájení
• Ideální pro vysokonapěťové stupně pohonu motoru
• Používá se s izolovanými ovladači hradla v napájecích měničích
• Lze použít pro rezonanční a měkké spínací topologie
• Vhodné pro průmyslové moduly řízení napájení
Jaké extrémní teploty může tolerovat při provozu?
Je specifikován pro provoz v širokém rozsahu teplot od -55 °C do 150 °C pro použití v náročných tepelných podmínkách.
Jaké pouzdro a způsob montáže jsou k dispozici pro kompaktní sestavy?
Dodává se v pouzdru PowerPAK 8x8 určeném pro montáž na povrch, která šetří plochu desky a zlepšuje tepelnou vodivost.
Jak přímé napětí zařízení ovlivňuje vedení mezi tělem a diodou?
Propojovací napětí 1,2 V udává typický pokles napětí přes vnitřní diodu během zpětné vodivosti, což ovlivňuje výpočty ztrát ve synchronním usměrňování nebo volnoběhových cestách.
Jaká konfigurace kolíků je k dispozici pro integraci obvodů?
Součást odhaluje čtyři kolíky, což usnadňuje samostatná připojení pro uspořádání zdroje, odtoku, brány a jazýčku nebo tepelné podložky během uspořádání PCB.
Související odkazy
- řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 N-kanálový 13 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SIHH MOSFET SIHH155N60EF-T1GE3 N-kanálový 18 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHK045N60E-T1GE3 N-kanálový 48 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: SiH MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH186N60EF-T1GE3 N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 5 kolíkový Vylepšení
- řada: EF MOSFET SIHH125N60EF-T1GE3 N-kanálový 23 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový Vylepšení