řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 13 A 650 V Vishay, PowerPAK 8 x 8 l, počet kolíků: 4 kolíkový
- Skladové číslo RS:
- 268-8303
- Výrobní číslo:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Využijte množstevní slevu
Zobrazit možnosti hromadného naceněníMezisoučet (1 balení po 2 kusech)*
232,43 Kč
(bez DPH)
281,24 Kč
(s DPH)
Doprava ZDARMA pro objednávky nad 1 650,00 Kč
Skladem
- 2 990 jednotka (jednotky) připravené k odeslání z jiného místa
Potřebujete více? Zadejte potřebné množství a klikněte „Zkontrolovat termíny dodání“.
Ks | za jednotku | za balení* |
|---|---|---|
| 2 - 48 | 116,215 Kč | 232,43 Kč |
| 50 - 98 | 104,48 Kč | 208,96 Kč |
| 100 - 248 | 85,46 Kč | 170,92 Kč |
| 250 - 998 | 83,98 Kč | 167,96 Kč |
| 1000 + | 65,825 Kč | 131,65 Kč |
*orientační cena
- Skladové číslo RS:
- 268-8303
- Výrobní číslo:
- SIHH250N60EF-T1GE3
- Výrobce:
- Vishay
Specifikace
Technické reference
Legislativa a životní prostředí
Podrobnosti o výrobku
Výběrem jednoho nebo více atributů si najděte podobné produkty.
Vybrat vše | Atribut | Hodnota |
|---|---|---|
| Značka | Vishay | |
| Typ produktu | MOSFET | |
| Typ kanálu | Typ N | |
| Maximální trvalý vypouštěcí proud Id | 13A | |
| Maximální napětí na zdroji Vds | 650V | |
| Typ balení | PowerPAK 8 x 8 l | |
| Řada | SIHH | |
| Typ montáže | Povrch | |
| Počet kolíků | 4 | |
| Maximální odpor zdroje Rds | 0.25Ω | |
| Režim kanálu | Vylepšení | |
| Maximální ztrátový výkon Pd | 89W | |
| Přímé napětí Vf | 1.2V | |
| Typický náboj brány Qg @ Vgs | 23nC | |
| Minimální provozní teplota | -55°C | |
| Maximální napětí zdroje brány Vgs | 30V | |
| Maximální provozní teplota | 150°C | |
| Délka | 8mm | |
| Normy/schválení | RoHS | |
| Automobilový standard | Ne | |
| Vybrat vše | ||
|---|---|---|
Značka Vishay | ||
Typ produktu MOSFET | ||
Typ kanálu Typ N | ||
Maximální trvalý vypouštěcí proud Id 13A | ||
Maximální napětí na zdroji Vds 650V | ||
Typ balení PowerPAK 8 x 8 l | ||
Řada SIHH | ||
Typ montáže Povrch | ||
Počet kolíků 4 | ||
Maximální odpor zdroje Rds 0.25Ω | ||
Režim kanálu Vylepšení | ||
Maximální ztrátový výkon Pd 89W | ||
Přímé napětí Vf 1.2V | ||
Typický náboj brány Qg @ Vgs 23nC | ||
Minimální provozní teplota -55°C | ||
Maximální napětí zdroje brány Vgs 30V | ||
Maximální provozní teplota 150°C | ||
Délka 8mm | ||
Normy/schválení RoHS | ||
Automobilový standard Ne | ||
- Země původu (Country of Origin):
- TW
MOSFET řady Vishay SIHH, napětí zdroje vypouštění 650 V, nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A – SIHH250N60EF-T1GE3
Tento MOSFET je vysokonapěťový N-kanálový tranzistor navržený pro spínání a převod výkonu v průmyslových elektrických systémech. Je určen pro sestavy pro povrchovou montáž, kde je vyžadována robustní manipulace s napětím a tepelná odolnost, a pracuje v širokém rozsahu teplot, aby vyhovoval náročným prostředím.
Charakteristiky a výhody:
• Kapacita vypouštění 650 V umožňuje vysokonapěťové spínací aplikace • Nepřetržitý vypouštěcí proud 13 A podporuje značné zátěžové proudy • Rds(on) 0,25 Ω snižuje ztráty při vedení během provozu • Typické náboje hradla 23 nC umožňuje řízenou dynamiku spínání • Maximální tolerance ovladače hradla 30 V umožňuje standardní ovladače hradla • Rozptýlení výkonu 89 W umožňuje trvalé tepelné zatížení
Aplikace
• Vhodné pro vysokonapěťové spínání napájení v průmyslových pohonech • Ideální pro spínané napájecí zdroje vyžadující vysoké Vds • Používá se pro stupně motorových měničů s mírnými proudy • Lze použít pro moduly korekce účiníku v zařízeních závodů
Jaký formát montáže je vyžadován pro montáž obvodů?
Používá povrchové pouzdro PowerPAK 8x8 se čtyřmi kolíky určenými pro montáž na PCB s nízkou indukcí.
Jak se zařízení chová při extrémních teplotách?
Je specifikován pro provoz v rozsahu -55 °C až 150 °C, což umožňuje použití v instalacích s širokou tepelnou variací.
Jaké je maximální napětí mezi odvodem a zdrojem?
Maximální jmenovité napětí odtoku-zdroje je 650 V, což definuje horní limit pro stabilní blokovací napětí.
Jaká omezení pohonu hradla by měla být dodržována?
Napětí hradla-zdroje nesmí překročit 30 V, aby se zabránilo poškození oxidu hradla.
Existují regulativní omezení materiálu?
Součást je uvedena jako v souladu s RoHS, což znamená omezení některých nebezpečných látek.
Související odkazy
- řada: SIHH MOSFET SIHH250N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 13 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: SIHH MOSFET SIHH085N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 30 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: SIHH MOSFET SIHH155N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 18 A 600 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: EF MOSFET SIHH186N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: EF MOSFET SIHH070N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 36 A 650 V Vishay počet kolíků: 5 kolíkový
- řada: EF MOSFET SIHH125N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 23 A 650 V Vishay počet kolíků: 4 kolíkový
- řada: SIHK MOSFET SIHK105N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 24 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový
- řada: SIHK MOSFET SIHK185N60EF-T1GE3 Typ N-kanálový 16 A 650 V Vishay počet kolíků: 8 kolíkový